先进装备与光电技术研究所团队

一、团队名称：先进装备与光电技术研究所
二、团队研究方向：1、高端激光装备集成与研发；2、二维材料与纳米器件；3.光电材料与器件
三、团队负责人：李京波
四、团队成员：吴福根、刘富德、张青天、陶丽丽、招瑜、肖也、杨亿斌
五、团队代表性成果：
（一）论文
1.C. Wang, S. X. Yang, H. Cai, C. Ataca, C*, H. Chen, X.Z. Zhang, J.J. Xu, B. Chen,
K.D. Wu, H. R. Zhang, L. Q. Liu, J. B. Li*, J. C. Grossman, S. Tongay*, Q. Liu*, “Enhancing
light emission efficiency without color change in post-transition metal chalcogenides”
Nanoscale 8,5820-5825 (2016).
2.X. Wang, L. Huang, Y. Peng, N. Huo, K. Wu, C. Xia, Z. Wei*,
S. Tongay*, J. Li*,“Enhanced rectification, transport property and photocurrent
generation of multilayer ReSe2/MoS2 p-n heterojunctions”, NANO RESEARCH, 9, 507-516
( 2016).
3.S.Yang, C. Wang, H. Sahin, H. Chen, Y. Li, S. Li, A. Suslu, F. Peeters,
Q. Liu*, Jingbo Li*, S. Tongay*, “Tuning the Optical, Magnetic, and Ele
ctrical Properties of ReSe2 by Nanoscale Strain Engineering”, Nano Letters,
15,1660 (2015)
4.B.Li, L. Huang, M. Zhong, N. J. Huo, Y. T. Li, S. Yang, C. Fan, J. Ya
ng, W. P. Hu, Z. M. Wei* and Jingbo Li*, “Synthesis and Transport Properti
es of Large-Scale Alloy Co0.16Mo0.84S2 Bilayer Nanosheets”, ACS Nano, 9,1257
(2015).
5.N. J. Huo, J. H. Yang, L. Huang, Z. M. Wei, S.-S. Li, S.-H. Wei,* and
Jingbo Li.*, “Tunable Polarity Behavior and Self-Driven Photoswitching in p-
WSe2/n-WS2 Heterojunctions”, Small, 11, 5430–5438 (2015)
6.Q. Gai, Jingbo Li*, S. S. Li, J. B. Xia, and S. H. Wei*, “Design of
narrow-gap TiO2 for enhanced photoelectrochecmical activity: A passivated codop
ing approach”, Phys. Rev. Lett. 102, 036402 (2009). (高被引论文，被引频
次: 339 )
7.Tongay, J. Zhou, C. Ataca, K. Lo, T. S. Matthews, Jingbo Li, J. C. Gros
sman, and J. Wu*, “Thermally Driven Crossover from Indirect toward Direct B
andgap in 2D Semiconductors: MoSe2 versus MoS2”, Nano Letters, 12, 5576 (20
12). (高被引论文，被引频次: 242 )
8.H. W. Peng, H. J. Xiang, S. H. Wei*, S. S. Li, J. B. Xia, and Jingbo
Li*, “Origin and enhancement of hole-induced ferromagnetism in first-row d0
semiconductors”, Phys. Rev. Lett. 102, 017201 (2009).(高被引论文，被引频
次: 226 )
9.Kang, S. Tongay, J. Zhou, Jingbo Li*, and J. Wu*, “Band offsets and Het
erostructures of Two-Dimensional Semiconductors”, Appl. Phys. Lett., 102, 0121
11 (2013).(高被引论文，被引频次: 181)
10.Kang, Jingbo Li*, F. M. Wu, S. S. Li, J. B. Xia, L. W. Wang, “Elasti
c, electronic and optical properties of two-dimensional graphyne sheet”, J.
Phys. Chem. C, 115, 20466 (2011).(高被引论文，被引频次: 124)
（二）知识产权：
1、李京波，纪攀峰，朱峰等。一种提高镁在III-V 族氮化物中掺杂效率的方法，专利号ZL20091024
1698.5, 2011-10-12 发明专利
2、刘建哲，李京波，李庆跃，李凯，颜晓升，池旭明，李树深，夏建白。一种用于制备LED 外延生
长的纳米图形化衬底的方法，专利号ZL201110153487.3，2013-01-02 发明专利
3、马平，李京波，王军喜，王国宏，曾一平，李晋闽。氮化镓系发光二极管，专利号ZL20101015
7611.9，2012-07-04 发明专利
4. 李京波，李庆跃，李凯，王美丽，池旭明，夏建白。一种染料敏化太阳能电池高效复合光阳极的
制备方法，ZL201110154688.5，2012-10-24 发明专利
5. 承刚，李京波，李永涛，董珊。一种采用双重控制技术生长蓝宝石晶体的方法，ZL201210196884.3，
2015-04-15 发明专利
6. 承刚,李京波,李庆跃,李凯,汪林望,池旭明,夏建白。泡生法生长蓝宝石晶体的自动引晶方法，
ZL2012103743914，ZL2012103743914，2015-04-08 发明专利
7. 李京波,孟秀清,李庆跃,李凯,汪林望,池旭明。一种高取向性二硒化钨纳米线的制备方法，
ZL2012103745479，2014-08-13 发明专利
8. 李京波,孟秀清,李庆跃,李凯,池旭明,夏建白。一种锌基锑化物纳米结构的制备方法，
ZL2012103745801，2014-06-04 发明专利
9. 吴锋民,李京波,孟秀清，制备核壳结构的ZnO 基上转换发光材料的方法，ZL201010598487X，
2014-01-08 发明专利
10. 王岩,李京波,王美丽。一种染料敏化太阳能电池复合电极的制备方法，ZL201110067722.5，
2011-03-21 发明专利